上海彌正超高純氖氣（6N 級純度），專為量子計算、氦氖激光器及高能物理研究等前沿領域打造，以 “純度 + 極低雜質” 保障科技的穩定運行。采用深度低溫精餾與高效吸附相結合的提純工藝，將氧氣、氮氣、氫氣等關鍵雜質含量分別控制在 100ppb、200ppb、50ppb 以下，水分低于 - 85℃，完全符合 GB/T 4843-2020 標準中對超高純氖的嚴苛要求。在量子計算領域，其優越的化學惰性可構建穩定的量子比特運行環境，有效降低環境噪聲對量子相干性的干擾，延長量子比特的退相干時間；在氦氖激光器中，作為重心填充氣體，能明顯提升激光光束的穩定性與單色性，減少因雜質導致的光束衰減。配備特用的超潔凈氣瓶與輸送管路，內壁經電解拋光處理，避免顆粒物污染，確保氣體在儲存與輸送過程中純度無衰減。某量子計算研究機構應用后，量子比特相干時間提升 30%，實驗數據重復性達 99%；某激光設備企業使用后，氦氖激光器使用壽命延長 2 倍，光束質量因子 M2 接近理想值 1.0，成為前沿科技研究的可靠支撐。超高純氧氣與氮氣混合氣（氧含量可調），滿足醫療與發酵需求。浙江丙二烯超高純氣體半導體制造

上海彌正超高純六氟化鎢（6N 級純度），是半導體先進制程中鎢金屬層沉積的重心前驅體，以 “高純度 + 低金屬雜質” 助力芯片性能升級。采用化學合成與多級精餾提純工藝，將雜質總量控制在 1ppm 以下，其中銅、鐵、鋁等金屬雜質含量均≤0.1ppb，完全滿足 14nm 及以下邏輯芯片、3D NAND 閃存制造的工藝要求。在化學氣相沉積（CVD）工藝中，它能精細地在晶圓表面沉積出均勻、致密的鎢金屬層，用于芯片的柵極、互連線及接觸孔填充，其純度直接決定了鎢層的導電性與可靠性，進而影響芯片的運行速度與壽命。配備耐腐蝕的特用包裝與輸送系統，采用內壁經特殊鈍化處理的鎳合金氣瓶，防止氣體與容器發生反應導致污染，輸送管路采用無死腔設計，確保氣體純凈度。某頭部晶圓制造企業應用后，3D NAND 閃存的鎢層沉積均勻性提升至 99.5%，芯片數據存儲密度提高 15%，良率提升 2.2%，有力支撐了企業在先進存儲領域的技術競爭力。浙江丙二烯超高純氣體半導體制造超高純氟化氫（雜質≤0.1ppm）用于半導體晶圓清洗，去除表面污染物。

上海彌正超高純氮氣（純度達 6N 級），專為半導體晶圓加工設計，以 “雜質 + 穩定供應” 成為芯片制造的關鍵基礎材料。采用低溫精餾與吸附分離雙重提純工藝，將氧氣、水分、碳氫化合物等雜質含量控制在 0.1ppb 以下，完全滿足半導體刻蝕、沉積等重心工藝對氣體純度的嚴苛要求。作為惰性保護氣體，它能有效隔絕空氣與工藝環境接觸，防止晶圓表面氧化或污染，保障光刻膠涂覆、等離子體刻蝕等環節的工藝穩定性。配備特用超潔凈包裝與輸送系統，氣瓶內壁經電解拋光處理，避免二次污染，氣體輸送過程中純度衰減率低于 0.01%。某芯片制造企業應用后，晶圓氧化缺陷率從 0.3% 降至 0.02%，芯片良率提升 2.8%，連續供應 12 個月無純度波動問題，完全適配 5G 芯片、人工智能芯片等制程的生產需求，成為半導體產業不可或缺的惰性保護解決方案。

上海彌正超高純三氟化氮（5N 級純度），是半導體等離子體刻蝕工藝的關鍵清洗氣體，以 “高純度 + 低污染” 助力芯片制程精細化。采用低溫吸附與精餾提純工藝，將雜質含量控制在 1ppb 以內，其中金屬雜質與顆粒物雜質均≤0.1ppb，能準確匹配 7nm 及以下先進制程的刻蝕需求。其強氧化性可高效去除晶圓表面的硅化物、金屬氧化物等殘留沉積物，且反應產物易揮發，無需額外復雜清洗步驟，有效提升刻蝕工藝效率。配備特用環保處理系統，氣體使用后可通過回收裝置實現 67% 的再利用率，降低環境排放與使用成本，符合亞洲芯片代工廠的生態合規要求。某半導體代工廠應用后，晶圓刻蝕殘留率從 0.8% 降至 0.05%，刻蝕工藝效率提升 15%，單晶圓制造成本降低 3%，同時滿足 SEMI 國際半導體產業協會的環保與純度標準，成為先進制程刻蝕工藝的推薦清洗氣體。超高純氬氣用作濺射鍍膜保護氣，保障薄膜沉積均勻性。

上海彌正氫能燃料電池全產業鏈超高純氣體解決方案，覆蓋燃料電池電堆、系統及整車制造全流程，以 “高純度 + 低有害雜質” 保障燃料電池的性能與壽命。方案重心氣體包括燃料電池車動力源 —— 超高純氫氣（純度 99.999%），以及用于電堆生產的超高純氮氣、氬氣。其中，超高純氫氣中一氧化碳、硫化物等有害雜質含量≤0.1ppb，可有效避免燃料電池催化劑中毒，延長電堆壽命；在電堆的膜電極制備與雙極板焊接環節，超高純惰性氣體作為保護氣，確保產品質量穩定。提供從車載儲氫瓶用氣體到生產工藝用氣體的一站式供應，并配備氫氣純度在線監測與純化設備，為加氫站提供純度保障。某頭部燃料電池企業應用該方案后，其電堆的峰值功率密度提升 15%，循環壽命突破 10000 小時；某加氫站采用其氫氣純化設備后，輸出氫氣純度穩定在 99.999% 以上，完全符合國家 GB/T 37244-2018 標準。超高純甲烷（雜質≤0.5ppm）是半導體刻蝕工藝的關鍵氣體。浙江四氟化硅超高純氣體核磁共振成像

超高純氘氣（純度 99.999%）用作核磁共振成像的造影氣體。浙江丙二烯超高純氣體半導體制造

上海彌正超高純氪氣（5N 級純度），專為等離子體顯示面板（PDP）、照明燈具制造設計，以 “高純度 + 高發光效率” 提升產品性能。通過多級精餾與吸附提純工藝，將雜質含量控制在 1ppb 以下，其中氖、氙等雜質含量≤0.2ppb，確保發光性能穩定。在 PDP 顯示面板中，作為放電單元填充氣體，能提升面板發光亮度與色彩還原度，延長面板使用壽命；在照明領域，用于氪氣燈填充，提升燈光色溫穩定性與發光效率，節能效果明顯。采用小型高壓氣瓶包裝，配備精密流量控制閥門，支持準確供氣，氣體使用效率提升 30%。某顯示設備企業應用后，PDP 面板發光亮度提升 15%，色彩還原度接近 100%；某照明企業使用后，氪氣燈使用壽命延長 2 倍，能耗降低 20%，完全滿足顯示與照明產業的性能升級需求。浙江丙二烯超高純氣體半導體制造

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